2009年初次发现的斯格明子（skyrmion）是一种具备漩涡状的结构体，它具备拓扑学稳定性、尺寸小、高效运动等特征，是以，作为超高密度超高速的第二代存储元件的基本单元，备受学界的关注。不外，作为其拓扑学特征之一，斯格XPJ官方网站-明子霍尔效应(skyrmion hall effect)会致使斯格明子很难凭据理想的标的目的进步运动，是以，迫切需要开发如许一种物资及技术，亦即，凭据外部施加的电流标的目的运动的 斯格明子进步运动 。近期，韩国研究团队于这一领域取患了巨年夜结果，此举将有助在实现接纳斯格明子制备第二代超低功耗扭转存储器。 韩国科学技术研究院（KIST）的存储器融会研究团的禹成勳（音译）博士团队接纳亚铁磁体（ferrimagnetic：GdFeCo,钆、铁、钴等金属的合金），这是一种介在铁磁体及反铁磁体的中间态，由此于全世界初次提出具备较高直进性及挪动效率的斯格明子运念头理。 事实上，为了接纳斯格明子驱动存储元件，就必须正确节制每一个斯格明子的位置，为了实现如许的位置调整，就必须接纳外部电流使患上斯格明子向目标位置挪动，也就是说，迫切需要斯格明子凭据电流标的目的进步运动的焦点技术，是以，本研究的目标就是要斯格明子运用在贮存元件，未来将有助在使用斯格明子制备超低功耗存储器。 禹成勳博士体现，随着第四次工业革命的到来，迫切需要高性能高容量的电子元件，开发超低功耗存储器元件也是当务之急，本研究接纳斯格明子制备超低功耗存储器元件将有助在相干需求工业的生长。